트랜지스터의 컬렉터characteristic(특성)
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작성일 22-11-20 23:43
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커브들의 왼쪽 빗금친 영역은 transistor(트랜지스터) 의 포화(최대 도통)영역을 표시한다. 각 커브는 입력 베이스 전류의 증가에 따라 컬렉터 전류가 증가함을 반영하고 있음에 주목해야한다.
세로축 VCE = -1의 오른쪽에서는 컬렉터 전류가 실질적으로 컬렉터 전압에 관계없고 주로
베이스 전류에만 좌우된다는 것을 주목하는것도 재미있다아 또 하나의 주목할 가치가 있는 사실은 각 커브의 종단점이다.
이점에서 컬렉터 전류는 대략 12mA이다. 그러므로 커브상의 종단점에서 VCE와 Ic 의 곱은 144mW이다. 이 커브들은 transistor(트랜지스터) 매개 변수 alteration(변화) 에 대한 effect를 보여줌으로 회로설
자 그리계고 기술자에게 중요한 정보원이 된다
2. average(평균) 콜랙터 속성 , 공통 이미터 회로구성.
그림 2는 PNP형 2N217 공통 이미터 구성 회로에 대한 average(평균) 콜랙터 속성 VCE와 Ic를 보여준다. 이값은 transistor(트랜지스터) 의 종단점은 전력소모 정격 150mA에 근접한다.0_트랜지스터의컬렉터특성 , 트랜지스터의 컬렉터특성공학기술레포트 ,
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트랜지스터의 컬렉터characteristic(특성)에 대한 글입니다. IB = 0 아래 빗금친 부분은 차단 영역으로 불리운다.
다. 더욱이 사용된 기호는 비록 상당 수준으로 표준화 되었지만 항상 같지는 않다.
각 커브는 VCE의 함수(VCE 의 여러값에 대한)로서 Ic를 그리므로 얻어진다. 여기서는 VCE의 큰 alteration(변화) 도 컬렉터에 작은 전류…(drop)
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레포트/공학기술
트랜지스터의 컬렉터characteristic(특성)
트랜지스터의 컬렉터특성에 대한 글입니다. 모 든 transistor(트랜지스터) 매뉴얼 리스트(manual list)가 그들의 속성 을 이런 식으로 표시하지는 않는다.
그림1은 2N4074에 대한 약간의 속성 을 보여준다. 기술자는 그들이 사용하는 transistor(트랜지스터) 매뉴얼과 친숙해야한다. 다른 속성 은 여기서 drop한다. VCE에서의 작은 alteration(변화) 가 Ic에서의 큰 alteration(변화) 로 결과 되어 진다.다른 커브들 각각의 종단점들은 유사하게 이와같은 전력 범위내로 제한된다
transistor(트랜지스터) 는 전력소모 정격내에서 동작되어야 한다.
0.1mA의 베이스 바이어스 전류에 대하여 커브는 VCE = -12V에서 끝난다.
5. transistor(트랜지스터) 속성 커브
transistor(트랜지스터) 메뉴얼에 포함된 transistor(트랜지스터) 속성 커브는 transistor(트랜지스터) 에 관하여 그래픽 형태로 정보를 제공한다.
